LED外延片是什么?
LED外延片（LED Epitaxial Wafer）是在单晶衬底上通过外延生长技术生长出来的半导体材料，这种材料在制造LED（发光二极管）中起到关键作用。
外延片：这是在衬底上通过外延生长技术生长的半导体材料层。这些材料通常包括一种或多种不同类型的半导体，例如N型和P型半导体。这些层形成了LED的主要部分，即PN结，它在电流通过时产生光。
LED外延片是指：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石、SiC、Si等）上所生长出的特定单晶薄膜。外延片处于LED产业链中的上游环节，是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。
外延片指的是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜，以GaN为例，在蓝宝石三氧化二铝上生长一层结构复杂的GaN薄膜，这层薄膜就叫做外延。
外延片：包括外延层和衬底。衬底即相当于是基板，外延层就相当于沉积在基板上的物质。目前蓝宝石衬底、硅衬底技术成熟，用得比较多。外延层是通过一系列的MO源在一定温度制度、压力制度下沉积生长在衬底上的功能复合层。
红光外延片的缓冲层是什么
1、GaAs衬底：在使用LPE生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。
2、LED外延片，顾名思义，就是用作LED的外延片。一般体材料或者说衬底是蓝宝石，外延材料是GaN之类的III-V发光材料。当然了，现在衬底也有用硅的，便宜嘛。所以，总的来说，两者的区别，就是在衬底上外延的材料不同呗。
3、外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜，薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。
4、外延片：包括外延层和衬底。衬底即相当于是基板，外延层就相当于沉积在基板上的物质。目前蓝宝石衬底、硅衬底技术成熟，用得比较多。外延层是通过一系列的MO源在一定温度制度、压力制度下沉积生长在衬底上的功能复合层。
5、EPS缓冲层。3c头盔缓冲层是该头盔最重要的卖点，缓冲层指的就是EPS缓冲层，也就是靠这个才能保护我们的头部，缓解瞬间撞击的冲击力，抵挡关键的致命伤。
6、衬底：这是制造过程的起始点，是一种纯净的半导体材料，例如硅或砷化镓，形状通常为圆形。衬底为之后的材料生长提供物理支持。 外延片：这是在衬底上通过外延生长技术生长的半导体材料层。
LED外延片和LED芯片的区别
1、两者的区别在于：外延片指的是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜，以GaN为例，在蓝宝石三氧化二铝上生长一层结构复杂的GaN薄膜，这层薄膜就叫做外延。
2、外延片是制造过程的一部分，它为制作芯片提供了必要的材料。 芯片：这是在外延片基础上，通过一系列复杂的制程步骤（如光刻、刻蚀、离子注入和金属沉积等）制作出来的微型电子设备。
3、LED外延片是指：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
4、这个问题是很专业的。LED外延片：简单地说就是在一定条件下，外延气体反应的产物沉积在衬底上而形成的东西。包括衬底和外延层两部分。LED芯片：将外延片后期制作加工而成的很小的一颗一颗的芯粒，有镀电极、切割等工序。
