● 检测与其他

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这种光强度更高的新型LED是NIST在制造高质量GaN纳米线方面的专业技术的成果。最近，研究人员一直在试验由硅掺杂GaN制成的纳米线核心，这种核心具有额外的电子，被镁掺杂的GaN制成的壳体包围，这些壳体具有额外的与电子结合的空穴。

所有的持证人必须保证贴有认证标志的产品符合IS 10322(第5部分)：2013包括修订版A1中的要求。